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NTD6416ANL, NVD6416ANL
1400
1200
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
10
8
Q T
100
80
1000
800
600
C iss
6
4 Q gs
V DS
Q gd
V GS
60
40
400
200
0
0
C rss
10
20
30
40
C oss
50
60
70
80
90
100
2
0
0
5
10
15
V DS = 80 V
I D = 19 A
T J = 25 ° C
20
20
0
25
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
1000
100
V DS = 80 V
I D = 19 A
V GS = 10 V
t d(off)
t f
20
15
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
10
t r
t d(on)
10
5
1
1
10
100
0
0.5
0.55 0.60 0.65 0.70 0.75 0.80 0.85 0.90 0.95 1.0
100
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
50
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
10
10 m S
100 m S
40
I D = 18.2 A
1 mS
1
0.1
0.01
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
10 mS
dc
30
20
10
0.001
0.1
1
PACKAGE LIMIT
10
100
1000
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 12. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
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